新消息！AI HBM需求激增 推动韩国5月芯片出口价格创历史新高

AI HBM需求激增 推动韩国5月芯片出口价格创历史新高

韩国首尔 – 韩国贸易部数据显示，受人工智能（AI）需求强劲反弹推动，韩国5月芯片出口价格创下历史新高。得益于高带宽内存（HBM）需求激增，韩国芯片出口价格指数同比飙升42.1%，创下自1970年代以来的最大涨幅。

HBM是一种用于高性能计算和人工智能应用的高速存储器。由于其卓越的性能和带宽，HBM已被广泛应用于数据中心、人工智能加速器和高端游戏显卡等领域。

韩国是全球最大的HBM生产国，三星电子和SK海力士是该领域的领先厂商。随着AI应用的快速发展，预计HBM需求将持续增长，这将进一步推动韩国芯片出口价格上涨。

数据强劲增长

韩国海关公布的数据显示，5月韩国芯片出口额同比增长54.5%，达到123亿美元。其中，存储芯片出口额增长52.4%，非存储芯片出口额增长63.8%。

韩国芯片出口的强劲增长主要得益于以下几个因素：

• 全球经济复苏推动了对电子产品的需求增长。
• 数据中心和人工智能应用的快速发展对芯片需求产生了强劲拉动。
• 韩国芯片厂商在全球市场份额不断提升。

未来展望

韩国贸易部预计，韩国芯片出口在未来几个月将继续保持增长势头。预计全年芯片出口额将达到2500亿美元左右，同比增长约10%。

韩国芯片产业的强劲表现为韩国经济提供了重要支撑。韩国央行预计，韩国经济今年将增长3.0%，高于此前预期。

新标题：

AI浪潮推动韩国芯片出口价格创历史新高

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

关于TechInsights

TechInsights是一家专注于半导体和集成电路领域的技术研究公司。该公司为客户提供各种市场研究和分析服务，包括市场趋势分析、技术分析和竞争对手分析。

免责声明

本新闻稿仅供参考，不构成任何投资建议。